Von Prof. Dr. Joachim A u t h
19.10.1985 /
Wissenschaften
• Ausgangspunkt für neuartige Transistoren • Schichtdicken von nur wenigen Atomlagen
mischung der Schichten etwa durch Diffusion erfolgen. Auf diese Forderungen müssen die entsprechenden Verfahren abgestimmt sein. Deshalb sollten sie z. B. bei möglichst niedrigen Temperaturen arbeiten...
Artikellänge: rund 299 Wörter
Sie benötigen ein Archiv-Abo, um die Artikel im nd-Altarchiv lesen zu können.
Jetzt ein Archiv-Abo bestellen?
Als AbonnentIn (Print, Online und Kombi) unserer Zeitung können Sie das nd-Archiv als digitales Zusatzangebot nutzen, der Aufpreis zu Ihrem Abo beträgt jeweils nur 5 €.
Für Print- und Onlineabonnenten
Vollzugriff auf's Archiv:
Login
Jahrgänge durchstöbern
1946
| 1947
| 1948
| 1949
| 1950
| 1951
| 1952
| 1953
| 1954
| 1955
| 1956
| 1957
| 1958
| 1959
| 1960
| 1961
| 1962
| 1963
| 1964
| 1965
| 1966
| 1967
| 1968
| 1969
| 1970
| 1971
| 1972
| 1973
| 1974
| 1975
| 1976
| 1977
| 1978
| 1979
| 1980
| 1981
| 1982
| 1983
| 1984
| 1985
| 1986
| 1987
| 1988
| 1989
| 1990
Tagesausgabe wählen
Archiv durchsuchen